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    品牌: ON SEMI
    栅极电荷: 47nC@10V
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP103-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2430pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@28A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D7N04CTWG 起订450个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D7N04CTWG 起订450个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9548,"23+":1225}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMJS1D7N04CTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€106W

    阈值电压:3.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NWFAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NWFAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€106W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€106W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4435BZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4435BZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:9A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0309AS 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0309AS 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0309AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@15V

    连续漏极电流:21A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@21A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D7N04CTWG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D7N04CTWG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9548,"23+":1225}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMJS1D7N04CTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€106W

    阈值电压:3.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NAFT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NAFT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":36000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€106W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NWFAFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NWFAFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€106W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0308AS 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0308AS 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0308AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@15V

    连续漏极电流:24A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP103-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2430pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@28A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D7N04CTWG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D7N04CTWG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9548,"23+":1225}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMJS1D7N04CTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€106W

    阈值电压:3.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4435BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4435BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:9A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C430NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€106W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4435BZ 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4435BZ 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:9A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4435BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4435BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:9A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4435BZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4435BZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:9A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4435BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4435BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:9A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0308AS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0308AS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0308AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@15V

    连续漏极电流:24A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0309AS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0309AS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0309AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@15V

    连续漏极电流:21A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@21A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0308AS 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0308AS 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0308AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@15V

    连续漏极电流:24A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP103-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2430pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@28A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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