品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2850}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP103-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9548,"23+":1225}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS1D7N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€39W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:9A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0309AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:21A€49A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9548,"23+":1225}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS1D7N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":36000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0308AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:24A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2850}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP103-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9548,"23+":1225}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS1D7N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€39W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:9A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C430NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€39W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:9A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€39W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:9A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€39W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:9A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€39W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:9A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0308AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:24A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0309AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:21A€49A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0308AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:24A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2850}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP103-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: