采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：30040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：615000，"16+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：615000，"16+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.2V@250µA
功率：38W
栅极电荷：7nC@4.5V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：51A
输入电容：880pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@30μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：2个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：6.2mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@30μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：6.1mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
