品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):8000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A67PZT5G
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC
包装方式:Reel
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":192}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA15N120ANTDTU-F109
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):45A
关断延迟时间:160ns
反向恢复时间:330ns
关断损耗:600µJ
开启延迟时间:15ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:120nC
类型:NPT 和沟道
集电极电流(Ic):2.4V@15V,15A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):8000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A67PZT5G
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC
包装方式:Reel
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":6000}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SBVS138LT1G
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:200mA
类型:MOSFET
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):8000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A67PZT5G
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC
包装方式:Reel
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":1350,"22+":4850}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40N65UFDTU
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:112ns
反向恢复时间:45ns
关断损耗:460µJ
开启延迟时间:24ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:1.19mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":7980,"19+":3391,"20+":24592,"21+":7158,"22+":35865}
包装规格(MPQ):8000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A67PZT5G
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC
包装方式:Reel
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
销售单位:个
集电极脉冲电流(Icm):120A
开启延迟时间:25ns/115ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.9V @ 15V,40A
导通损耗:1.13mJ(开),310µJ(关)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40N60UFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:112ns
反向恢复时间:45ns
关断损耗:460µJ
开启延迟时间:24ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:1.19mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):8000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A67PZT5G
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC
包装方式:Reel
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40N60UFDTU
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:112ns
反向恢复时间:45ns
关断损耗:460µJ
开启延迟时间:24ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:1.19mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":13230}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40N60SFTU
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:115ns
关断损耗:310µJ
开启延迟时间:25ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.9V@15V,40A
导通损耗:1.13mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
销售单位:个
集电极脉冲电流(Icm):120A
开启延迟时间:25ns/115ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.9V @ 15V,40A
导通损耗:1.13mJ(开),310µJ(关)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":414,"22+":85}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40N65UFDTU
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:112ns
反向恢复时间:45ns
关断损耗:460µJ
开启延迟时间:24ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:1.19mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40N60UFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:112ns
反向恢复时间:45ns
关断损耗:460µJ
开启延迟时间:24ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:1.19mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40N60SFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:45ns
关断损耗:310µJ
开启延迟时间:25ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.9V@15V,40A
导通损耗:1.13mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40N60SFTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:115ns
关断损耗:310µJ
开启延迟时间:25ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.9V@15V,40A
导通损耗:1.13mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40N60SFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:45ns
关断损耗:310µJ
开启延迟时间:25ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.9V@15V,40A
导通损耗:1.13mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40N60UFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:112ns
反向恢复时间:45ns
关断损耗:460µJ
开启延迟时间:24ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:1.19mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":1350,"22+":4850}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40N65UFDTU
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:112ns
反向恢复时间:45ns
关断损耗:460µJ
开启延迟时间:24ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:1.19mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":7980,"19+":3391,"20+":24592,"21+":7158,"22+":35865}
包装规格(MPQ):8000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A67PZT5G
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC
包装方式:Reel
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):8000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A67PZT5G
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC
包装方式:Reel
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":1350,"22+":4850}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40N65UFDTU
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:112ns
反向恢复时间:45ns
关断损耗:460µJ
开启延迟时间:24ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:1.19mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40N60SFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:45ns
关断损耗:310µJ
开启延迟时间:25ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.9V@15V,40A
导通损耗:1.13mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40N60SFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:45ns
关断损耗:310µJ
开启延迟时间:25ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.9V@15V,40A
导通损耗:1.13mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40N60UFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:112ns
反向恢复时间:45ns
关断损耗:460µJ
开启延迟时间:24ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:1.19mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40N60SFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:45ns
关断损耗:310µJ
开启延迟时间:25ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.9V@15V,40A
导通损耗:1.13mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40N60UFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:112ns
反向恢复时间:45ns
关断损耗:460µJ
开启延迟时间:24ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:1.19mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):8000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A67PZT5G
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC
包装方式:Reel
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
销售单位:个
集电极脉冲电流(Icm):120A
开启延迟时间:25ns/115ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:120nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.9V @ 15V,40A
导通损耗:1.13mJ(开),310µJ(关)
包装清单:商品主体 * 1
库存: