品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2872,"22+":956,"23+":2773}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7570S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€59W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4410pF@13V
连续漏极电流:27A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@27A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€150W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7570S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€59W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4410pF@13V
连续漏极电流:27A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@27A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7570S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€59W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4410pF@13V
连续漏极电流:27A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@27A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":302396,"MI+":24922}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":800}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€150W
阈值电压:4V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7570S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€59W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4410pF@13V
连续漏极电流:27A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@27A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":280,"12+":19459,"13+":74943,"9999":2000,"MI+":3270}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF10N60ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP405-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP405-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€150W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP405-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":280,"12+":19459,"13+":74943,"9999":2000,"MI+":3270}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF10N60ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€150W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP405-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP405-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP405-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€37.5W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€37.5W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF10N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF10N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€37.5W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF10N60ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJST2D6N08HTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5.3W€116W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@40V
连续漏极电流:28A€131.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP405-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7570S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€59W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4410pF@13V
连续漏极电流:27A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@27A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":39462,"13+":41706,"14+":9,"15+":113228,"16+":400,"17+":2659}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF10N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7570S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€59W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4410pF@13V
连续漏极电流:27A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@27A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7570S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€59W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4410pF@13V
连续漏极电流:27A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@27A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":280,"12+":19459,"13+":74943,"9999":2000,"MI+":3270}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF10N60ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: