品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":300,"15+":25815}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4965N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.39W€38.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1710pF@15V
连续漏极电流:13A€68A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~175℃
功率:1.39W€38.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1710pF@15V
连续漏极电流:13A€68A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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功率:1.39W€38.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:17.2nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1710pF@15V
连续漏极电流:13A€68A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:17.2nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1710pF@15V
连续漏极电流:13A€68A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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漏源电压:30V
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
栅极电荷:17.2nC@4.5V
连续漏极电流:13A€68A
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类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
输入电容:1710pF@15V
功率:1.39W€38.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存: