品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C453NLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€68W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:23A€107A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF650N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:30.5W
阈值电压:4.5V@800µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1565pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.18nF@40V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N50CF
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@50A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C453NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:107A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":0}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N25CT
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:8.8A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@4.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF650N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:30.5W
阈值电压:4.5V@800µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1565pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP11N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@5.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C453NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:107A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C453NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:107A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF650N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:30.5W
阈值电压:4.5V@800µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1565pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C453NLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€68W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:23A€107A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C453NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:107A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C453NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:107A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C453NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:107A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H630NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@30V
连续漏极电流:22A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP165N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:142W
阈值电压:4V@1.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.808nF@400V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:132mΩ@10V,9.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86110
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€127W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2265pF@50V
连续漏极电流:12.5A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C453NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€68W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:23A€107A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C453NLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€68W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:23A€107A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: