采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86110
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€127W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86110
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€127W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86110
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€127W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86110
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€127W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86110
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€127W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB11N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@5.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86110
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€127W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86110
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€127W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86110
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€127W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86110
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€127W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86110
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€127W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86110
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€127W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86110
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€127W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86110
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€127W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86110
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€127W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86110
连续漏极电流：12.5A€50A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：3.1W€127W
输入电容：2265pF@50V
导通电阻：10.2mΩ@12.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86110
连续漏极电流：12.5A€50A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：3.1W€127W
输入电容：2265pF@50V
导通电阻：10.2mΩ@12.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86110
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€127W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：12.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB11N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@5.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB11N40CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@5.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
