品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5690,"18+":72000,"19+":360}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@13V
连续漏极电流:23A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":49000,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF380N60E-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:10.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB8N90CTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":498}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF8N80CYDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:59W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H419NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@20V
连续漏极电流:29A€155A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS5672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@30V
连续漏极电流:10.6A€22A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8570}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF8N80CYDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:59W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H419NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@20V
连续漏极电流:29A€155A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2005pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4370,"18+":6684,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF8N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5690,"18+":72000,"19+":360}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@13V
连续漏极电流:23A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5690,"18+":72000,"19+":360}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@13V
连续漏极电流:23A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8570}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF8N80CYDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:59W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":337}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":1600,"16+":1180}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ635-TL-E
功率:1W€30W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.2nF@20V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD380N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:10.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD380N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:10.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5690,"18+":72000,"19+":360}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@13V
连续漏极电流:23A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4794}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8817NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP22N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF380N60E-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:10.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS5672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@30V
连续漏极电流:10.6A€22A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: