品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN342P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":588000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@20V
连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441BT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
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ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
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连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
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输入电容:840pF@20V
连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@20V
连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4969N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.38W€26.3W
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连续漏极电流:9.4A€41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
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连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
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连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
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输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@20V
连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
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类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
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连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@20V
连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
阈值电压:1.5V@250µA
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连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
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连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN342P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
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连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
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漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
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连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
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连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
阈值电压:1.5V@250µA
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栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@20V
连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@20V
连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
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ECCN:EAR99
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导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN342P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存: