采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7680pF@30V
连续漏极电流：29A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7680pF@30V
连续漏极电流：29A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7680pF@30V
连续漏极电流：29A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7680pF@30V
连续漏极电流：29A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1825，"21+"：5598，"22+"：34608，"MI+"：1237}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7735pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1825，"21+"：5598，"22+"：34608，"MI+"：1237}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7735pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800120DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@60V
连续漏极电流：20A€129A
类型：N沟道
导通电阻：4.14mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800120DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@60V
连续漏极电流：20A€129A
类型：N沟道
导通电阻：4.14mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：8443，"22+"：7660，"23+"：1504}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800120DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@60V
连续漏极电流：20A€129A
类型：N沟道
导通电阻：4.14mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1825，"21+"：5598，"22+"：34608，"MI+"：1237}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7735pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7680pF@30V
连续漏极电流：29A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：192，"20+"：284}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：8443，"22+"：7660，"23+"：1504}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800120DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@60V
连续漏极电流：20A€129A
类型：N沟道
导通电阻：4.14mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7680pF@30V
连续漏极电流：29A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800120DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@60V
连续漏极电流：20A€129A
类型：N沟道
导通电阻：4.14mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800120DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@60V
连续漏极电流：20A€129A
类型：N沟道
导通电阻：4.14mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800120DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@60V
连续漏极电流：20A€129A
类型：N沟道
导通电阻：4.14mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800120DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@60V
连续漏极电流：20A€129A
类型：N沟道
导通电阻：4.14mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：8443，"22+"：7660，"23+"：1504}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800120DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@60V
连续漏极电流：20A€129A
类型：N沟道
导通电阻：4.14mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7680pF@30V
连续漏极电流：29A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：8443，"22+"：7660，"23+"：1504}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800120DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7850pF@60V
连续漏极电流：20A€129A
类型：N沟道
导通电阻：4.14mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0120N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7735pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0120N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7735pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
