采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86152
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3370pF@50V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：31A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86152
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3370pF@50V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：31A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C423NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D1N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€83W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€132A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D1N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€83W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€132A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C442NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€130A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86152
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3370pF@50V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C423NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：978}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C423NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C442NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€130A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：31A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3935，"22+"：2927}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：31A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：978}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C442NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：27A€130A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C442NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€130A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D1N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€83W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€132A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：978}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8D8N15C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€132W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@75V
连续漏极电流：12.2A€85A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C442NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€130A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C442NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：27A€130A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
