品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":42,"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4405NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":828458}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4405NT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4409NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJS4405NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4409NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4409NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4409NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
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导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4409NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:113pF@10V
连续漏极电流:700mA€600mA
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJS4405NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4409NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4409NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4409NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4405NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: