首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    栅极电荷
    包装方式
    行业应用
    阈值电压
    漏源电压
    连续漏极电流
    品牌: ON SEMI
    栅极电荷: 7.2nC@10V
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NDT01N60T1G 起订561个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT01N60T1G 起订561个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":116000,"15+":1431,"16+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT01N60T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD01N60-1G 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD01N60-1G 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2475,"15+":6750,"9999":1541}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD01N60-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT01N60T1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT01N60T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":116000,"15+":1431,"16+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT01N60T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD01N60-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD01N60-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2475,"15+":6750,"9999":1541}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD01N60-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":8000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订362个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订362个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":8000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT01N60T1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT01N60T1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT01N60T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3.7V@50µA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD01N60-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD01N60-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD01N60-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3.7V@50µA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:200mA

    漏源电压:800V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订862个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N80TF-WS 起订862个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@100mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD1N80TM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD1N80TM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD1N80TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€45W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@500mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧