品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":116000,"15+":1431,"16+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT01N60T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2475,"15+":6750,"9999":1541}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD01N60-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:7.2nC@10V
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输入电容:195pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
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输入电容:195pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":116000,"15+":1431,"16+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT01N60T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
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输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
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类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
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类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
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输入电容:195pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
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输入电容:195pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
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输入电容:195pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2475,"15+":6750,"9999":1541}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD01N60-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.7V@50µA
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栅极电荷:7.2nC@10V
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连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:7.2nC@10V
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连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
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连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
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栅极电荷:7.2nC@10V
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连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
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栅极电荷:7.2nC@10V
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连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
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连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT01N60T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3.7V@50µA
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类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD01N60-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.7V@50µA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@25V
导通电阻:20Ω@100mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:200mA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@100mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD1N80TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: