采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6415AN-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1223
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N60ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1223
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N60ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1223
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功率：83W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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功率：83W
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输入电容：640pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
连续漏极电流：4.1A
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
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输入电容：640pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@50µA
连续漏极电流：4.1A
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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生产批次：{"11+"：750}
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规格型号(MPN)：NTD6415AN-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NTD6415AN-1G
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD6415AN-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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