品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107.1W€3.8W
阈值电压:3V@210μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:4.301nF@25V
连续漏极电流:185A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€113.6W
阈值电压:2.5V@210µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€113.6W
阈值电压:2.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€113.6W
阈值电压:2.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€113.6W
阈值电压:2.5V@210µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€113.6W
阈值电压:2.5V@210µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
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连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107.1W€3.8W
阈值电压:3V@210μA
栅极电荷:71nC@10V
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连续漏极电流:185A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€113.6W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€113.6W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€113.6W
阈值电压:2.5V@210µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€113.6W
阈值电压:2.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€113.6W
阈值电压:2.5V@210µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€113.6W
阈值电压:2.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€113.6W
阈值电压:2.5V@210µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2954}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€113.6W
阈值电压:2.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€113.6W
阈值电压:2.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107.1W€3.8W
阈值电压:3V@210μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:4.301nF@25V
连续漏极电流:185A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2954}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2954}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107.1W€3.8W
阈值电压:3V@210μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:4.301nF@25V
连续漏极电流:185A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@210µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€113.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@210µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€113.6W
栅极电荷:71nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2954}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107.1W€3.8W
阈值电压:3V@210μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:4.301nF@25V
连续漏极电流:185A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5022,"23+":2600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: