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    品牌: ON SEMI
    栅极电荷: 71nC@10V
    当前匹配商品:40+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107.1W€3.8W

    阈值电压:3V@210μA

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:4.301nF@25V

    连续漏极电流:185A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€113.6W

    阈值电压:2.5V@210µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:17A€116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€113.6W

    阈值电压:2.5V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:17A€116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€113.6W

    阈值电压:2.5V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:17A€116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€113.6W

    阈值电压:2.5V@210µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:17A€116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€113.6W

    阈值电压:2.5V@210µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:17A€116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT080N65S3 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT080N65S3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:260W

    阈值电压:4.5V@880μA

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:2.765nF@400V

    连续漏极电流:38A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:80mΩ@19A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107.1W€3.8W

    阈值电压:3V@210μA

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:4.301nF@25V

    连续漏极电流:185A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€113.6W

    阈值电压:2.5V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:17A€116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€113.6W

    阈值电压:2.5V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:17A€116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€113.6W

    阈值电压:2.5V@210µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:17A€116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€113.6W

    阈值电压:2.5V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:17A€116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€113.6W

    阈值电压:2.5V@210µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:17A€116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€113.6W

    阈值电压:2.5V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:17A€116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€113.6W

    阈值电压:2.5V@210µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:17A€116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT080N65S3 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT080N65S3 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":2954}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT080N65S3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:260W

    阈值电压:4.5V@880μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:2.765nF@400V

    连续漏极电流:38A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:80mΩ@19A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€113.6W

    阈值电压:2.5V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:17A€116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€113.6W

    阈值电压:2.5V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:17A€116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@37A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107.1W€3.8W

    阈值电压:3V@210μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:4.301nF@25V

    连续漏极电流:185A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT080N65S3 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT080N65S3 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":2954}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT080N65S3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:260W

    阈值电压:4.5V@880μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:2.765nF@400V

    连续漏极电流:38A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:80mΩ@19A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT080N65S3 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT080N65S3 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":2954}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT080N65S3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:260W

    阈值电压:4.5V@880μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:2.765nF@400V

    连续漏极电流:38A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:80mΩ@19A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT080N65S3 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT080N65S3 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT080N65S3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:260W

    阈值电压:4.5V@880μA

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:2.765nF@400V

    连续漏极电流:38A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:80mΩ@19A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107.1W€3.8W

    阈值电压:3V@210μA

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:4.301nF@25V

    连续漏极电流:185A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:17A€116A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:4.2mΩ@37A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@210µA

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:2.5W€113.6W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D5N08LC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:17A€116A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:4.2mΩ@37A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@210µA

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:2.5W€113.6W

    栅极电荷:71nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT080N65S3 起订117个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT080N65S3 起订117个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":2954}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT080N65S3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:260W

    阈值电压:4.5V@880μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:2.765nF@400V

    连续漏极电流:38A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:80mΩ@19A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订439个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订439个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107.1W€3.8W

    阈值电压:3V@210μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:4.301nF@25V

    连续漏极电流:185A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT080N65S3 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT080N65S3 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT080N65S3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:260W

    阈值电压:4.5V@880μA

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:2.765nF@400V

    连续漏极电流:38A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:80mΩ@19A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT080N65S3 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT080N65S3 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT080N65S3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:260W

    阈值电压:4.5V@880μA

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:2.765nF@400V

    连续漏极电流:38A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:80mΩ@19A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT080N65S3 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT080N65S3 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5022,"23+":2600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT080N65S3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:260W

    阈值电压:4.5V@880μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:2.765nF@400V

    连续漏极电流:38A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:80mΩ@19A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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