品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H848NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€73W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
连续漏极电流:13A€57A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2706}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS5D3N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€50W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:19A€71A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H848NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€73W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
连续漏极电流:13A€57A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N25LZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@3.1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@75V
连续漏极电流:5A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1446-H
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:散装
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86104
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@50V
连续漏极电流:7A€16A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N25LZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@3.1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS5D3N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€50W
阈值电压:3.5V@40µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:19A€71A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS5D3N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€50W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:19A€71A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":821100,"15+":800,"16+":4500,"9999":1100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF02N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:325pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS005N04CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€50W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:17A€69A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD5N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:54W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:950mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":22842}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4927NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW€20.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:913pF@15V
连续漏极电流:7.9A€38A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":821100,"15+":800,"16+":4500,"9999":1100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF02N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:325pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:2.2V@30µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:16A€52A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":100,"11+":845,"19+":4500,"20+":16500,"21+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4927NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW€20.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:913pF@15V
连续漏极电流:7.9A€38A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86104
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@50V
连续漏极电流:7A€16A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS005N04CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€50W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:17A€69A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS005N04CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€50W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:17A€69A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N25LZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@3.1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:2.2V@30µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:16A€52A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H848NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€73W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
连续漏极电流:13A€57A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS025P04M8LTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€44.1W
阈值电压:3V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9.4A€32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@75V
连续漏极电流:5A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD5N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:54W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:950mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@75V
连续漏极电流:5A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS005N04CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€50W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:17A€69A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: