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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085C
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
反向恢复时间：1.7µs
开启延迟时间：0.65µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085C
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
反向恢复时间：1.7µs
开启延迟时间：0.65µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3056-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：8.2µs
反向恢复时间：2.4µs
开启延迟时间：1.3µs
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.55V@5V，8A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3056-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：8.2µs
反向恢复时间：2.4µs
开启延迟时间：1.3µs
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.55V@5V，8A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085C
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
反向恢复时间：1.7µs
开启延迟时间：0.65µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085C
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
反向恢复时间：1.7µs
开启延迟时间：0.65µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C02NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：20nC
连续漏极电流：162A
类型：MOSFET
导通电阻：2.25mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3056-F085
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：8.2µs
反向恢复时间：2.4µs
开启延迟时间：1.3µs
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.55V@5V，8A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085C
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
反向恢复时间：1.7µs
开启延迟时间：0.65µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C02NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：20nC
连续漏极电流：162A
类型：MOSFET
导通电阻：2.25mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085C
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
反向恢复时间：1.7µs
开启延迟时间：0.65µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C02NWFTAG
阈值电压：2.2V
连续漏极电流：162A
栅极电荷：20nC
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
导通电阻：2.25mΩ
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3056-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：8.2µs
反向恢复时间：2.4µs
开启延迟时间：1.3µs
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.55V@5V，8A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3056-F085
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：8.2µs
反向恢复时间：2.4µs
开启延迟时间：1.3µs
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.55V@5V，8A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085C
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
反向恢复时间：1.7µs
开启延迟时间：0.65µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3236-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：5.4µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：228}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGI3236-F085
ECCN：EAR99
包装方式：管件
关断延迟时间：5.4µs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.4V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3056-F085
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：8.2µs
反向恢复时间：2.4µs
开启延迟时间：1.3µs
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.55V@5V，8A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3056-F085
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：8.2µs
反向恢复时间：2.4µs
开启延迟时间：1.3µs
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.55V@5V，8A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3056-F085
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：8.2µs
反向恢复时间：2.4µs
开启延迟时间：1.3µs
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.55V@5V，8A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C02NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：20nC
连续漏极电流：162A
类型：MOSFET
导通电阻：2.25mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C02NWFTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：20nC
连续漏极电流：162A
类型：MOSFET
导通电阻：2.25mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGI3236-F085
包装方式：管件
栅极阈值电压(Vge(th))：1.4V@4V，6A
关断延迟时间：5.4μs
集电极截止电流(Ices)：360V
栅极电荷：20nC
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGB3056-F085
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：8.2µs
反向恢复时间：2.4µs
开启延迟时间：1.3µs
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：20nC
集电极电流(Ic)：1.55V@5V，8A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
