采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：388}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2000，"22+"：10673}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB34P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€155W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2910pF@25V
连续漏极电流：33.5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@16.75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB34P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2910pF@25V
连续漏极电流：33.5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@16.75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1057，"22+"：243}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB34P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2910pF@25V
连续漏极电流：33.5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@16.75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS2D7N06M7
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
