采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8460
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7205pF@20V
连续漏极电流：25A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3880}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTAT6H406NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8040pF@40V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8460
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7205pF@20V
连续漏极电流：25A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3880}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTAT6H406NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8040pF@40V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1602，"21+"：4205，"22+"：2178，"23+"：18000，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC012N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€64W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8183pF@15V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.23mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1602，"21+"：4205，"22+"：2178，"23+"：18000，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC012N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€64W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8183pF@15V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.23mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1602，"21+"：4205，"22+"：2178，"23+"：18000，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC012N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€64W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8183pF@15V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.23mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8460
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7205pF@20V
连续漏极电流：25A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTAT6H406NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8040pF@40V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA40N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA40N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8460
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7205pF@20V
连续漏极电流：25A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC012N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€64W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8183pF@15V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.23mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC012N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€64W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8183pF@15V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.23mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC012N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€64W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8183pF@15V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.23mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTAT6H406NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8040pF@40V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8460
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7205pF@20V
连续漏极电流：25A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTAT6H406NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8040pF@40V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8460
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7205pF@20V
连续漏极电流：25A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA40N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3880}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTAT6H406NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8040pF@40V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3880}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTAT6H406NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8040pF@40V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8460
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7205pF@20V
连续漏极电流：25A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1602，"21+"：4205，"22+"：2178，"23+"：18000，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC012N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€64W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8183pF@15V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.23mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA40N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA40N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA40N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1602，"21+"：4205，"22+"：2178，"23+"：18000，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC012N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€64W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8183pF@15V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.23mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8460
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7205pF@20V
连续漏极电流：25A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA40N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
