品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
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类型:N沟道
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阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
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输入电容:310pF@25V
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输入电容:310pF@25V
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导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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阈值电压:2V@250µA
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栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
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导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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阈值电压:2V@250µA
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栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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阈值电压:2V@250µA
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栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
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导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
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输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
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栅极电荷:5.2nC@5V
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输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
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导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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栅极电荷:5.2nC@5V
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输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
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导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
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导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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栅极电荷:5.2nC@5V
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:850mA
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:310pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
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功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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栅极电荷:5.2nC@5V
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:850mA
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:310pF@25V
漏源电压:200V
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栅极电荷:5.2nC@5V
功率:2.2W
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连续漏极电流:850mA
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:310pF@25V
漏源电压:200V
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功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
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栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
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导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
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