品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:319W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1762pF@800V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":14,"22+":42}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:319W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1762pF@800V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:319W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1762pF@800V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:319W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1762pF@800V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:319W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1762pF@800V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:319W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1762pF@800V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:319W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1762pF@800V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:319W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1762pF@800V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:319W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1762pF@800V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:319W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1762pF@800V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:319W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1762pF@800V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: