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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH070N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4925pF@380V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：631}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
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功率：4.2W€311W
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：NTBLS1D1N08H
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输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
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输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
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连续漏极电流：41A€351A
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导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：166nC@10V
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输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：631}
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规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
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栅极电荷：166nC@10V
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D1N08H
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：166nC@10V
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工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D1N08H
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：166nC@10V
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工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：166nC@10V
阈值电压：4V@650µA
输入电容：11200pF@40V
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
功率：4.2W€311W
连续漏极电流：41A€351A
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：631}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：166nC@10V
阈值电压：4V@650µA
输入电容：11200pF@40V
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
功率：4.2W€311W
连续漏极电流：41A€351A
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：166nC@10V
阈值电压：4V@650µA
输入电容：11200pF@40V
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
功率：4.2W€311W
连续漏极电流：41A€351A
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH070N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4925pF@380V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：631}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
