采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP13N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：116W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP13N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：116W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF13N60NT
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF13N60NT
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
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类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：735，"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF13N60NT
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
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功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
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类型：N沟道
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导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
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功率：116W
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栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
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类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
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