品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C673NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€46W
阈值电压:4V@35µA
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@30V
连续漏极电流:14A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.7mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5752}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
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连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
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包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
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连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C673NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€46W
阈值电压:4V@35µA
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输入电容:680pF@30V
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类型:N沟道
导通电阻:10.7mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
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类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
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输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
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类型:N沟道
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漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
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输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C673NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€46W
阈值电压:4V@35µA
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类型:N沟道
导通电阻:10.7mΩ@7A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C673NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€46W
阈值电压:4V@35µA
栅极电荷:9.6nC@10V
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连续漏极电流:14A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.7mΩ@7A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
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导通电阻:3.4Ω@1A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C673NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€46W
阈值电压:4V@35µA
栅极电荷:9.6nC@10V
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输入电容:680pF@30V
连续漏极电流:14A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.7mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
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连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
阈值电压:4.5V@200µA
栅极电荷:9.6nC@10V
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:32W
输入电容:400pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
阈值电压:4.5V@200µA
栅极电荷:9.6nC@10V
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功率:32W
输入电容:400pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C673NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€46W
阈值电压:4V@35µA
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连续漏极电流:14A€50A
类型:N沟道
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漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C673NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€46W
阈值电压:4V@35µA
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@30V
连续漏极电流:14A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.7mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
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输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: