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    品牌: ON SEMI
    栅极电荷: 7.3nC@10V
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8622

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€31W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:402pF@50V

    连续漏极电流:4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8622

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€31W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:402pF@50V

    连续漏极电流:4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8622

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€31W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:402pF@50V

    连续漏极电流:4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C468NLAFT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C468NLAFT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":220500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C468NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:13A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8622

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€31W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:402pF@50V

    连续漏极电流:4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86151L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86151L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86151L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C468NLAFT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C468NLAFT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":220500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C468NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:13A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8622

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€31W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:402pF@50V

    连续漏极电流:4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8622

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€31W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:402pF@50V

    连续漏极电流:4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订375个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订375个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMYS010N04CLTWG 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":3746}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86151L 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86151L 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86151L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8622

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€31W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:402pF@50V

    连续漏极电流:4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS010N04CLTWG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€28W

    阈值电压:2V@20µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8622

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€31W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:402pF@50V

    连续漏极电流:4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86151L 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86151L 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86151L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86151L 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86151L 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86151L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8622

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€31W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:402pF@50V

    连续漏极电流:4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86151L 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86151L 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":126000,"MI+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86151L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86151L 起订707个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86151L 起订707个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86151L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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