品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50FTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDD6N50FTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):FDD6N50FTM
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功率:89W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDD6N50FTM
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功率:89W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDD6N50FTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50FTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.75A,10V
漏源电压:500V
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50FTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50FTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: