品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2600,"10+":22000,"MI+":1060}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1308pF@12V
连续漏极电流:10.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2600,"10+":22000,"MI+":1060}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1308pF@12V
连续漏极电流:10.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2600,"10+":22000,"MI+":1060}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NT4G
工作温度:-55℃~175℃
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输入电容:1308pF@12V
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类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
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类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":8475}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860N-1G
工作温度:-55℃~175℃
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":8475}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
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ECCN:EAR99
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:1308pF@12V
连续漏极电流:10.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1308pF@12V
连续漏极电流:10.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NT4G
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:25V
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连续漏极电流:10.4A€65A
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功率:1.28W€50W
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1308pF@12V
连续漏极电流:10.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
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类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NT4G
工作温度:-55℃~175℃
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ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@4.5V
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