品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@1.7mA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4880pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:403W
阈值电压:5V@1.7mA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4880pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
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功率:403W
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连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
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类型:N沟道
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类型:N沟道
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功率:403W
阈值电压:5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4880pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
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功率:403W
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导通电阻:50mΩ@29A,10V
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连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@1.7mA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4880pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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