采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：25185，"12+"：3000，"13+"：675，"14+"：326825，"15+"：75，"18+"：13350，"9999"：75}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：25185，"12+"：3000，"13+"：675，"14+"：326825，"15+"：75，"18+"：13350，"9999"：75}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：25185，"12+"：3000，"13+"：675，"14+"：326825，"15+"：75，"18+"：13350，"9999"：75}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：52512，"13+"：112493，"MI+"：19350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF02N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：52512，"13+"：112493，"MI+"：19350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF02N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4173PT1G
导通电阻：150mΩ@1.2A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
输入电容：430pF@15V
栅极电荷：10.1nC@10V
类型：P沟道
功率：290mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF02N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
