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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：72000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC510P-F106
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7860pF@10V
连续漏极电流：12A€18A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：72000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC510P-F106
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：7860pF@10V
连续漏极电流：12A€18A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC510P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W€2.3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：116nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.86nF@10V
连续漏极电流：12A€18A
类型：1个P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：FDMC510P
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功率：41W€2.3W
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类型：1个P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC510P
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导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：17，"22+"：18406}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC510P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：41W€2.3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
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类型：1个P沟道
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漏源电压：20V
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生产批次：{"21+"：17，"22+"：18406}
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类型：1个P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
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