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    漏源电压
    连续漏极电流
    品牌: ON SEMI
    栅极电荷: 50nC@5V
    当前匹配商品:6
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    onsemi Mosfet场效应管 NTQS6463R2 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTQS6463R2 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":2629,"07+":2421}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTQS6463R2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:930mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06L-001 起订1336个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06L-001 起订1336个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":3574,"04+":1350}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD32N06L-001

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€93.75W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTQS6463R2 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTQS6463R2 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":2629,"07+":2421}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTQS6463R2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:930mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06L-001 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06L-001 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD32N06L-001

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€93.75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:50nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTQS6463R2 起订844个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTQS6463R2 起订844个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":2629,"07+":2421}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTQS6463R2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:930mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06L-001 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06L-001 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":3574,"04+":1350}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD32N06L-001

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€93.75W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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