采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：67500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4849NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€42.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@12V
连续漏极电流：10.2A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4923NET3G
工作温度：-40℃~150℃
功率：930mW€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4850pF@15V
连续漏极电流：12.7A€91A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4923NET3G
工作温度：-40℃~150℃
功率：930mW€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4850pF@15V
连续漏极电流：12.7A€91A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：153353}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTS2P03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@24V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.48A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4923NET3G
工作温度：-40℃~150℃
功率：930mW€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4850pF@15V
连续漏极电流：12.7A€91A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：153353}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTS2P03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@24V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.48A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：97820，"07+"：27000，"08+"：41895，"10+"：18000，"11+"：34500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4837NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€47.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2048pF@12V
连续漏极电流：10A€74A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4923NET3G
工作温度：-40℃~150℃
功率：930mW€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4850pF@15V
连续漏极电流：12.7A€91A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：67500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4849NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€42.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@12V
连续漏极电流：10.2A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4849NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€42.4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@12V
连续漏极电流：10.2A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4837NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€47.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2048pF@12V
连续漏极电流：10A€74A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4837NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€47.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2048pF@12V
连续漏极电流：10A€74A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
输入电容：1490pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A
栅极电荷：22nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：97820，"07+"：27000，"08+"：41895，"10+"：18000，"11+"：34500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4837NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€47.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2048pF@12V
连续漏极电流：10A€74A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
