品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639G3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639G3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75339P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@75A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
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输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75339P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@75A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@20V
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类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75339P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
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包装方式:管件
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连续漏极电流:75A
类型:N沟道
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漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75339P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@75A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639G3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75339P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@75A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":245}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
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功率:200W
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栅极电荷:130nC@20V
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输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75339P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
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连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@75A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
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功率:200W
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包装方式:管件
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连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75339P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75339P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@20V
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连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639G3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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导通电阻:25mΩ@56A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@20V
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类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639G3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
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库存: