采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C434NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：33A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C434NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：33A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80.6nC@10V
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输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：33A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80.6nC@10V
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连续漏极电流：33A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：33A€160A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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功率：4.7W€120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80.6nC@10V
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输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：33A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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