品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB016N04AL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:283W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:167nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11600pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB016N04AL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:283W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:167nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11600pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB016N04AL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:283W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:167nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11600pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB016N04AL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:283W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:167nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11600pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB016N04AL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:283W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:167nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11600pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB016N04AL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:283W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:167nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11600pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB016N04AL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:283W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:167nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11600pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB016N04AL7
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:167nC@10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
功率:283W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.6mΩ@80A,10V
输入电容:11600pF@25V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: