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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：22500，"11+"：517500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：81000，"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8656-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：13050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：13050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：12975}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：81000，"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8656-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：22500，"11+"：517500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8656-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8656-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG332PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：2618}
规格型号(MPN)：FDG332PZ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：2.6A
栅极电荷：10.8nC@4.5V
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.6A，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
功率：750mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
