采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86563-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86563-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB1D7N10CL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11600pF@50V
连续漏极电流：268A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@100A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB1D7N10CL7
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功率：250W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：11600pF@50V
连续漏极电流：268A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@100A，15V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB86563-F085
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功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB1D7N10CL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11600pF@50V
连续漏极电流：268A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@100A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86563-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FDB1D7N10CL7
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功率：250W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11600pF@50V
连续漏极电流：268A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@100A，15V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：FDB86563-F085
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功率：333W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：163nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FDB1D7N10CL7
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功率：250W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：11600pF@50V
连续漏极电流：268A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@100A，15V
漏源电压：100V
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输入电容：11600pF@50V
连续漏极电流：268A
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导通电阻：1.65mΩ@100A，15V
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输入电容：11600pF@50V
连续漏极电流：268A
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
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类型：N沟道
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工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
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输入电容：10100pF@30V
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类型：N沟道
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功率：333W
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输入电容：10100pF@30V
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类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86563-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：163nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：FDB1D7N10CL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：163nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11600pF@50V
连续漏极电流：268A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@100A，15V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB86563-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@30V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB86563-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@30V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：163nC@10V
功率：333W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
