采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12150}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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生产批次：{"23+"：12150}
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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生产批次：{"23+"：12150}
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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生产批次：{"23+"：12150}
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
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功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：30psc
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工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
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栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
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阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
连续漏极电流：54A
输入电容：1700pF@800V
栅极电荷：75nC@18V
功率：231W
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：54mΩ@20A，18V
包装方式：管件
阈值电压：4.4V@10mA
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
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功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
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输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
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功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
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输入电容：1700pF@800V
栅极电荷：75nC@18V
功率：231W
类型：N沟道
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工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：54mΩ@20A，18V
包装方式：管件
阈值电压：4.4V@10mA
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