品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0165N807L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:304nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23660pF@40V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0165N807L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:304nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23660pF@40V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0165N807L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:304nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23660pF@40V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0165N807L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:304nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23660pF@40V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0165N807L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:304nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23660pF@40V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0165N807L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:304nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23660pF@40V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0165N807L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:304nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23660pF@40V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:304nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13566pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB0165N807L
连续漏极电流:310A
栅极电荷:304nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:23660pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:1.6mΩ@36A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N65F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:304nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13566pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: