品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86182
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:24nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@50V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@28A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86182
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@50V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@28A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86182
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@50V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@28A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDMS86182
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@6V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:78A
类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDMS86182
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功率:83W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
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功率:83W
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行业应用:工业,汽车
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功率:83W
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功率:83W
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功率:83W
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工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:24nC@6V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@28A,10V
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行业应用:工业,汽车
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功率:83W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@6V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@28A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDMS86182
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@28A,10V
栅极电荷:24nC@6V
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
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工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:24nC@6V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@28A,10V
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