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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：55000，"10+"：140860}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4935NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3639pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：55000，"10+"：140860}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4935NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3639pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NTMS4935NR2G
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功率：810mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3639pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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功率：810mW
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3639pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：52.1nC@10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：3639pF@25V
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功率：810mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：3639pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：52.1nC@10V
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输入电容：3639pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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功率：810mW
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栅极电荷：52.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3639pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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