品牌:ON SEMI
分类:IGBT
销售单位:个
反向恢复时间:31.8ns
开启延迟时间:20.8ns
关断损耗:0.309mJ
工作温度:-55℃~+175℃
集电极截止电流(Ices):650V
导通损耗:1.35mJ
类型:FS(场截止)
栅极阈值电压(Vge(th)):2.2V@15V,50A
关断延迟时间:62.4ns
栅极电荷:72.2nC
包装清单:商品主体 * 1
库存:
企业价