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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N65FL2WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：237ns
反向恢复时间：94ns
关断损耗：460µJ
开启延迟时间：100ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：220nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
导通损耗：1.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N65FL2WG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：237ns
反向恢复时间：94ns
关断损耗：460µJ
开启延迟时间：100ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：220nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
导通损耗：1.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"16+"：2058，"MI+"：1272}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N65FL2WAG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：123ns
反向恢复时间：94ns
关断损耗：550µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：215nC
类型：场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
导通损耗：420µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
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规格型号(MPN)：NGTB50N65FL2WAG
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集电极脉冲电流(Icm)：160A
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集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：215nC
类型：场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
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工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N65FL2WAG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
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类型：场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
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工作温度：-55℃ ~ 175℃
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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
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销售单位：个
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ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
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集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
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工作温度：-55℃ ~ 175℃
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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N65FL2WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
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反向恢复时间：94ns
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集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：220nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
导通损耗：1.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：570，"19+"：180，"MI+"：330}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N60S1WG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
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集电极截止电流(Ices)：600V
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类型：沟道
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
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分类：IGBT
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集电极脉冲电流(Icm)：160A
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集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
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工作温度：-55℃ ~ 175℃
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品牌：ON SEMI
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生产批次：{"16+"：2058，"MI+"：1272}
规格型号(MPN)：NGTB50N65FL2WAG
导通损耗：420µJ
集电极脉冲电流(Icm)：160A
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
ECCN：EAR99
开启延迟时间：23ns
关断延迟时间：123ns
类型：场截止
工作温度：-55℃ ~ 175℃
反向恢复时间：94ns
集电极截止电流(Ices)：650V
关断损耗：550µJ
包装方式：管件
栅极电荷：215nC
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N65FL2WAG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：123ns
反向恢复时间：94ns
关断损耗：550µJ
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集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：215nC
类型：场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
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工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N65FL2WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：237ns
反向恢复时间：94ns
关断损耗：460µJ
开启延迟时间：100ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：220nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
导通损耗：1.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N65FL2WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：237ns
反向恢复时间：94ns
关断损耗：460µJ
开启延迟时间：100ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：220nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
导通损耗：1.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N65FL2WAG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
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反向恢复时间：94ns
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集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：215nC
类型：场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
导通损耗：420µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N60S1WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：237ns
反向恢复时间：94ns
关断损耗：460µJ
开启延迟时间：100ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：220nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
导通损耗：1.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N65FL2WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：237ns
反向恢复时间：94ns
关断损耗：460µJ
开启延迟时间：100ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：220nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
导通损耗：1.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：570，"19+"：180，"MI+"：330}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N60S1WG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：237ns
反向恢复时间：94ns
关断损耗：460µJ
开启延迟时间：100ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：220nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
导通损耗：1.5mJ
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：570，"19+"：180，"MI+"：330}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N60S1WG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：237ns
反向恢复时间：94ns
关断损耗：460µJ
开启延迟时间：100ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：220nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
导通损耗：1.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：570，"19+"：180，"MI+"：330}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N60S1WG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：237ns
反向恢复时间：94ns
关断损耗：460µJ
开启延迟时间：100ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：220nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
导通损耗：1.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：570，"19+"：180，"MI+"：330}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB50N60S1WG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：200A
关断延迟时间：237ns
反向恢复时间：94ns
关断损耗：460µJ
开启延迟时间：100ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：220nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2V@15V，50A
导通损耗：1.5mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
