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分类:IGBT
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分类:IGBT
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分类:IGBT
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行业应用:汽车,工业
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分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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行业应用:汽车,工业
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分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":450}
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分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
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品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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集电极脉冲电流(Icm):200A
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品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":9000}
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销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDTL4
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分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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规格型号(MPN):FGH75T65SQDTL4
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品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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规格型号(MPN):FGH75T65SQDTL4
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品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
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规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
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集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDTL4
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):300A
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDTL4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):300A
关断延迟时间:276ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:266µJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:128nC
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工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDTL4
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):300A
关断延迟时间:276ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:266µJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:128nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:307µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
生产批次:{"21+":343}
规格型号(MPN):FGH75T65SQDTL4
开启延迟时间:44ns
导通损耗:307µJ
栅极电荷:128nC
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
关断延迟时间:276ns
类型:沟槽型场截止
ECCN:EAR99
反向恢复时间:76ns
工作温度:-55℃ ~ 175℃
集电极截止电流(Ices):650V
集电极脉冲电流(Icm):300A
关断损耗:266µJ
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
开启延迟时间:44ns
反向恢复时间:134ns
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
集电极脉冲电流(Icm):200A
类型:沟槽型场截止
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
集电极截止电流(Ices):650V
关断延迟时间:208ns
关断损耗:1.26mJ
栅极电荷:152nC
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":450}
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ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":250}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: