品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":250}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":250}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
开启延迟时间:44ns
反向恢复时间:134ns
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
集电极脉冲电流(Icm):200A
类型:沟槽型场截止
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
集电极截止电流(Ices):650V
关断延迟时间:208ns
关断损耗:1.26mJ
栅极电荷:152nC
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
导通损耗:3.4mJ
集电极截止电流(Ices):1.2kV
类型:FS(场截止)
ECCN:EAR99
反向恢复时间:195ns
工作温度:-55℃~+175℃
关断延迟时间:208ns
关断损耗:1.2mJ
栅极电荷:395nC
开启延迟时间:48ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":250}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":250}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":250}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SQDNL4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:134ns
关断损耗:1.26mJ
开启延迟时间:44ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:152nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:1.25mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: