品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65UPD-F085
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:166ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:578nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,75A
导通损耗:2.85mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"13+":968,"16+":22,"19+":7,"MI+":3260}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTG50N60FWG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:285ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:117ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:310nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):1.7V@15V,50A
导通损耗:1.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"13+":968,"16+":22,"19+":7,"MI+":3260}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTG50N60FWG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:285ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:117ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:310nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):1.7V@15V,50A
导通损耗:1.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"13+":968,"16+":22,"19+":7,"MI+":3260}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTG50N60FWG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:285ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:117ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:310nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):1.7V@15V,50A
导通损耗:1.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"13+":968,"16+":22,"19+":7,"MI+":3260}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTG50N60FWG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:285ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:117ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:310nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):1.7V@15V,50A
导通损耗:1.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65UPD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:166ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:385nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,75A
导通损耗:2.85mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65UPD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:166ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:385nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,75A
导通损耗:2.85mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65UPD-F085
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:166ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:578nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,75A
导通损耗:2.85mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65UPD-F085
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:166ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:578nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,75A
导通损耗:2.85mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTG50N60FWG
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:285ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:117ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:310nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):1.7V@15V,50A
导通损耗:1.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65UPD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:166ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:385nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,75A
导通损耗:2.85mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTG50N60FWG
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:285ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:117ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:310nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):1.7V@15V,50A
导通损耗:1.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65UPD-F085
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:166ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:578nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,75A
导通损耗:2.85mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65UPD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:166ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:385nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,75A
导通损耗:2.85mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65UPD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:166ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:385nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,75A
导通损耗:2.85mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65UPD-F085
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:166ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:578nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,75A
导通损耗:2.85mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65UPD-F085
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:166ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:578nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,75A
导通损耗:2.85mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65UPD-F085
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:166ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:578nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,75A
导通损耗:2.85mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTG50N60FWG
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:285ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:117ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:310nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):1.7V@15V,50A
导通损耗:1.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65UPD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:166ns
反向恢复时间:85ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:385nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,75A
导通损耗:2.85mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTG50N60FWG
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:285ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:117ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:310nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):1.7V@15V,50A
导通损耗:1.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
生产批次:{"13+":968,"16+":22,"19+":7,"MI+":3260}
规格型号(MPN):NGTG50N60FWG
开启延迟时间:117ns
工作温度:-55℃ ~ 150℃
集电极截止电流(Ices):600V
集电极电流(Ic):1.7V@15V,50A
集电极脉冲电流(Icm):200A
ECCN:EAR99
导通损耗:1.1mJ
类型:沟道
栅极电荷:310nC
关断损耗:1.2mJ
关断延迟时间:285ns
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存: