品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
阈值电压:2V@250μA
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
栅极电荷:91nC@10V
连续漏极电流:36A€235A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:2V@250μA
输入电容:6.66nF@25V
功率:3.8W€166W
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:48W
漏源电压:50V
栅极电荷:40nC@10V
导通电阻:100mΩ@5V,14A
连续漏极电流:14A
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
栅极电荷:91nC@10V
连续漏极电流:36A€235A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:2V@250μA
输入电容:6.66nF@25V
功率:3.8W€166W
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:48W
漏源电压:50V
栅极电荷:40nC@10V
导通电阻:100mΩ@5V,14A
连续漏极电流:14A
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
导通电阻:35mΩ@10V,5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:5A
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:350pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2V@250μA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
阈值电压:2V@250μA
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
阈值电压:2V@250μA
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:36A€235A
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2V@250μA
输入电容:6.66nF@25V
功率:3.8W€166W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T
功率:200mW
阈值电压:2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N25LZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@3.1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N25LZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@3.1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T
功率:200mW
阈值电压:2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6557}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T
功率:200mW
阈值电压:2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N25LZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@3.1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T
功率:200mW
阈值电压:2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T
功率:200mW
阈值电压:2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N25LZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@3.1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N25LZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@3.1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: