首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订750个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订750个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4101PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.37A

    栅极电荷:9nC@4.5V

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:329mW

    输入电容:840pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN028N20

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    连续漏极电流:6.1A

    输入电容:600pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4101PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.37A

    栅极电荷:9nC@4.5V

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:329mW

    ECCN:EAR99

    输入电容:840pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6304P 起订1498个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6304P 起订1498个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":2,"21+":1937}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6304P

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:460mA

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:1.1Ω@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    输入电容:62pF@10V

    类型:2个P沟道(双)

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN342P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN342P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN342P

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:80mΩ@2A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2A

    栅极电荷:9nC@4.5V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    输入电容:635pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638APZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:12nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:1000pF@10V

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6305N 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6305N 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6305N

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:310pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:340pF@10V

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA3028N 起订1191个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA3028N 起订1191个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA3028N

    连续漏极电流:3.8A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:68mΩ@3.8A,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:375pF@15V

    类型:2N沟道(双)

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4409NT1G 起订600个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4409NT1G 起订600个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4409NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:700mA

    漏源电压:25V

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6303N 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6303N 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6303N

    包装方式:卷带(TR)

    功率:300mW

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:500mA

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:50pF@10V

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4101PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4101PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4101PT1G

    输入电容:2100pF@16V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:4.8A

    功率:1.3W

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V

    栅极电荷:35nC@4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6301N

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:220mA

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:25V

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:9.5pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订1751个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订1751个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"20+":2651,"21+":5153,"22+":10261}

    规格型号(MPN):FDG6335N

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:700mA

    输入电容:113pF@10V

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD306P

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:21nC@4.5V

    连续漏极电流:6.7A

    导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    输入电容:1290pF@6V

    漏源电压:12V

    功率:52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1029PZ 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1029PZ 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1029PZ

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@10V

    类型:2个P沟道(双)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:95mΩ@3.1A,4.5V

    连续漏极电流:3.1A

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637AN 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637AN 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC637AN

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1125pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD4401NT1G

    功率:270mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:46pF@20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    连续漏极电流:630mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD4401NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD4401NT1G

    功率:270mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:46pF@20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    连续漏极电流:630mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN028N20

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    连续漏极电流:6.1A

    输入电容:600pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4102PT1G 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4102PT1G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4102PT1G

    导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:2.9A

    输入电容:750pF@16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86012 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86012 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86012

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:23A

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:1.5V@250µA

    导通电阻:2.7mΩ@23A,4.5V

    栅极电荷:38nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    输入电容:5075pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638APZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:12nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:1000pF@10V

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6303N

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:25V

    连续漏极电流:680mA

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:50pF@10V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N-F085P 起订2583个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N-F085P 起订2583个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6301N-F085P

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:300mW

    连续漏极电流:220mA

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:9.5pF@10V

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637AN 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637AN 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC637AN

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1125pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1029PZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1029PZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1029PZ

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:95mΩ@3.1A,4.5V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2个P沟道(双)

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4173PT1G

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.2A

    输入电容:430pF@15V

    栅极电荷:10.1nC@10V

    类型:P沟道

    功率:290mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS7D2P02P8ZTAG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS7D2P02P8ZTAG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS7D2P02P8ZTAG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:9mΩ@10A,4.5V

    连续漏极电流:7.9A

    功率:860mW

    栅极电荷:26.7nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2790pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6301N

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:220mA

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:25V

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:9.5pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧