品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.37A
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:329mW
输入电容:840pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
连续漏极电流:6.1A
输入电容:600pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.37A
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:329mW
ECCN:EAR99
输入电容:840pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2,"21+":1937}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6304P
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:460mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.1Ω@500mA,4.5V
漏源电压:25V
输入电容:62pF@10V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN342P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:80mΩ@2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:635pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6305N
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:310pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:340pF@10V
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA3028N
连续漏极电流:3.8A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:68mΩ@3.8A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:375pF@15V
类型:2N沟道(双)
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4409NT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:700mA
漏源电压:25V
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6303N
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4101PT1G
输入电容:2100pF@16V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.8A
功率:1.3W
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V
栅极电荷:35nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6301N
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:9.5pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":2651,"21+":5153,"22+":10261}
规格型号(MPN):FDG6335N
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:700mA
输入电容:113pF@10V
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:21nC@4.5V
连续漏极电流:6.7A
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:1290pF@6V
漏源电压:12V
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1029PZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@10V
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:95mΩ@3.1A,4.5V
连续漏极电流:3.1A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD4401NT1G
功率:270mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:46pF@20V
ECCN:EAR99
导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V
连续漏极电流:630mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD4401NT1G
功率:270mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:46pF@20V
ECCN:EAR99
导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V
连续漏极电流:630mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
连续漏极电流:6.1A
输入电容:600pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4102PT1G
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.9A
输入电容:750pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86012
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:23A
功率:2.3W€54W
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:2.7mΩ@23A,4.5V
栅极电荷:38nC@4.5V
ECCN:EAR99
输入电容:5075pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6303N
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
连续漏极电流:680mA
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6301N-F085P
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:9.5pF@10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1029PZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:95mΩ@3.1A,4.5V
连续漏极电流:3.1A
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4173PT1G
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
输入电容:430pF@15V
栅极电荷:10.1nC@10V
类型:P沟道
功率:290mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS7D2P02P8ZTAG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9mΩ@10A,4.5V
连续漏极电流:7.9A
功率:860mW
栅极电荷:26.7nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:2790pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6301N
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:9.5pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: