品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C59NT1G
输入电容:1252pF@15V
连续漏极电流:9A€52A
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:22.2nC@10V
阈值电压:2.1V@250µA
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"MI+":67500}
规格型号(MPN):NTMFS4C06NBT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:20A€69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
功率:2.55W€30.5W
ECCN:EAR99
输入电容:1683pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":2410,"21+":16262}
规格型号(MPN):NTMFS4C08NT1G
连续漏极电流:9A€52A
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:18.2nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1113pF@15V
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C028NT1G
输入电容:1252pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.73mΩ@30A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:22.2nC@10V
连续漏极电流:16.4A€52A
阈值电压:2.1V@250µA
功率:2.51W€25.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C09NT1G
输入电容:1252pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:9A
栅极电荷:10.9nC@4.5V
功率:760mW€25.5W
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:770mW€30.5W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A€69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:1683pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NT1G
连续漏极电流:9A€52A
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:18.2nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1113pF@15V
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4H01NFT1G
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
输入电容:5538pF@12V
连续漏极电流:54A€334A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
功率:44W
连续漏极电流:49A
ECCN:EAR99
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C85NT1G
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
导通电阻:3mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1960pF@15V
连续漏极电流:15.4A€29.7A
功率:1.13W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":217616}
规格型号(MPN):NTTFS4H05NTWG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
导通电阻:3.3mΩ@30A,10V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:18.9nC@10V
功率:2.66W€46.3W
输入电容:1205pF@12V
连续漏极电流:22.4A€94A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C632NLT4G
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
功率:4W€115W
连续漏极电流:29A€155A
输入电容:5700pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@4.5V
输入电容:400pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
功率:18W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KW
阈值电压:2.1V@250µA
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NT1G
连续漏极电流:9A€52A
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:18.2nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1113pF@15V
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
阈值电压:2.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:22A€91A
输入电容:2900pF@30V
功率:4.4W€76W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NWFTWG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
功率:3W€26W
输入电容:770pF@15V
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
连续漏极电流:14A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
功率:44W
连续漏极电流:49A
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C09NT1G
输入电容:1252pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:9A
栅极电荷:10.9nC@4.5V
功率:760mW€25.5W
ECCN:EAR99
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":5000}
规格型号(MPN):NTMFS4H01NFT3G
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
输入电容:5538pF@12V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:54A€334A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@4.5V
输入电容:400pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
功率:18W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C09NT1G
输入电容:1252pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:9A
栅极电荷:10.9nC@4.5V
功率:760mW€25.5W
ECCN:EAR99
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C632NLT4G
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
功率:4W€115W
连续漏极电流:29A€155A
输入电容:5700pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
功率:44W
连续漏极电流:49A
ECCN:EAR99
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@4.5V
输入电容:400pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
功率:18W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NWFTWG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
功率:3W€26W
输入电容:770pF@15V
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
连续漏极电流:14A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
输入电容:700pF@25V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
功率:27W
连续漏极电流:38A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9.1mΩ@30A,10V
类型:N沟道
输入电容:770pF@15V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
连续漏极电流:7.2A€38A
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4H013NFT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
功率:2.7W€104W
连续漏极电流:43A€269A
阈值电压:2.1V@250µA
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:3923pF@12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C648NLT4G
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
功率:3.1W€72W
连续漏极电流:18A€89A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
输入电容:2900pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: