采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：1.5A
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：250pF@24V
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：1.5A
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：250pF@24V
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：1.5A
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：250pF@24V
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
栅极电荷：7nC@10V
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
功率：420mW
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：1.5A
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：250pF@24V
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS010N04CTWG
输入电容：492pF@25V
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A€38A
漏源电压：40V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7nC@10V
功率：3.1W€32W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：37900，"15+"：2558，"17+"：45041}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3486-TL-H
输入电容：310pF@20V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
栅极电荷：7nC@10V
导通电阻：137mΩ@1A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
类型：1个N沟道
输入电容：395pF@75V
漏源电压：150V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
栅极电荷：7nC@10V
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
功率：420mW
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2410}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N15TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8622
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@50V
连续漏极电流：4.8A€16.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，4.8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N15TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8622
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€31W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@50V
连续漏极电流：4.8A€16.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，4.8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8622
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@50V
连续漏极电流：4.8A€16.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，4.8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8622
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€31W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@50V
连续漏极电流：4.8A€16.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，4.8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
